การเลือกใช้ตัวต้านทาน
: สว่าง ประกายรุ้ง
|
|
หน้าแรก |
ตัวต้านทานแบบฟิล์ม ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะนี้เหมาะสำหรับงานซึ่งต้องการเสถียรภาพ และ ความเที่ยงตรงสูงกว่าแบบคาร์บอน. นอกจากนี้ ยังเหมาะสำหรับใช้ในงานที่เกี่ยวข้องกับไฟสลับทำงานได้ดีจากย่านไฟตรงจนถึงย่านความถี่เป็นเมกะเฮิรซ์ มีค่าสัมประสิทธิ์ทาง อุณหภูมิต่ำ และ ค่าความต้านทานจะลดลง เมื่ออุณหภูมิของสภาพแวดล้อมสูงถึง 125 องศาเซลเซียส หรือ มากกว่านั้น. ตัวต้าน ทานแบบฟิล์มนั้นสามารถแบ่งตามเทคนิคที่ใช้ในการผลิต ดังนี้ ตัวต้านทานแบบโครงสร้างเดียวกัน (network resisyor) ซึ่งมีทั้งแบบDIP และแบบ SIP ก) การฉาบภายใต้สุญญากาศ ( vacuum deposition ) ซึ่งรู้จักกันในนามของการระเหยของแผ่นฟิล์มโลหะ ส่วนผสม นิกเกิล - แ คดเมียมจะถูกทำให้ร้อนจัดในสุญญากาศ โลหะผสมจะระเหย และ ฉาบรอบฐานที่ทำด้วยเซรามิก. ในขณะเดียวกันจะ ผสมสารที่ถูกเจือเพียงเล็กน้อยซึ่งเรียกว่า โด๊ป เพื่อใช้ ควบคุมคุณสมบัติ ของตัวต้านทานเช่นคำว่า ความต้านทาน. ตัวต้านทาน ชนิดนี้เหมาะสำหรับใช้ในงานที่ต้องการความเที่ยงตรงสูงมากๆ ข) กระจาย ( sputtering ) โลหะนิโครานั้น จะถูกทำให้ร้อน และ วิ่งชนโดยอะตอมของอาร์กอน ซึ่งจะมีผล ทำให้อะตอม ของโลหะถูกชน กระเด็น และ ไปฉาบรอบฐาน. ตัวต้านทานที่ผลิตโดยใช้เทคนิคการกระจายนี้ เหมาะสำหรับงานที่ต้องการความ เที่ยงตรงสูงมากๆ เช่นกัน ค) การฉาบโดยใช้ออกไซด์ของโลหะ ไอระเหยของสารเคมีจะใช้ในการฉาบแผ่นฟิล์มออกไซอ์ของดีบุก ลงบนฐานที่ ทำด้วย แก้ว. เทคนิดนี้ ได้นำมาใช้ครั้งแรกโดยบริษัทคอร์นนิ่งในการผลิตตัวต้านทานสำหรับใช้ในงานทั่วๆไป งานความละเอียดปานกลาง และงานที่ต้องการความเที่ยงตรงสูง ตัวต้านทานแบบฟิล์มบางนี้มีเสถียรภาพสูง มีคุณสมบัติทางด้านสัญญาณรบกวนต่ำ และ มีสัมประสิทธิ์ต่ออุณหภูมิต่ำ มาก. นิยมใช้ในดิจิตอลมัลติมิเตอร์ . ตัวแบ่งแรงดันที่มีความเที่ยงตรงสูง ตัวลดทอนสัญญาณ วงจรเปลี่ยนสัญญาณ อะนาลอกเป็นดิจิตอล และดิจิตอลเป็นอะนาลอก และ ในงานรวมกระแสตัวต้านทาน แบบฟิล์มบาง โดยทั่วไปจะเป็นแบบฉาบ ด้วยแทนทาลัม ไนไตร์ด, โครเมียม , โคบอลต์ , หรือ นิโครมลงบนฐานที่ทำด้วยอะลูมินาแซฟไฟร์ แก้วควอตซ์ เบริลเลียล ( breryllia ) หรือ ซิลิลิกอน. ตัวต้านแบบฟิล์มบางที่ต่อกันหลายๆ ตัวภายในดครงสร้างเดียวกัน ( network ) ก็มีเช่นกันโดยบรรจุอยู่ในตัวถังแบบ ตีนตะขาบ ( DIP ) และ ตัวถังแบบแถวเดียว ( SIP : sign inline package ) ในตัวต้านทานแบบตัวเดี่ยวนั้นขาต่อใช้งานอาจจะเป็นแบบเชื่อมต่อโดยตรงที่ผิว หรือ แบบลวดพัน สำหรับขาต่อแบบ ลวด พันนั้นจะพันรอบๆ ด้านข้างฐานของตัวทาน ซึ่งจะทำให้ขาต่ออยู่ทางด้านล่าง ส่วนขาต่อแบบบัดกรีด้วยตะกั่ว ฉาบเงินลงบนนิกเกิล แพลตินั่ม หรือ แพลทินัม-ทอง นั้นก็มีการทำขึ้นมา. การตัดแต่งตัวต้านทานให้เรียบร้อย ทำโดยใช้เครื่องมือทางกล หรือ ใช้แสง เลเซอร์ สำหรับตัวต้านทานแบบฟิล์มหนาฐานที่ทำด้วยเซรามิด จะถูกฉาบด้วยวิธีการซิลค์สกรีน โดยสารที่เป็นโลหะ-แก้ว แล้วจึงนำ ไปเผาที่อุณหภูมิสูง สารพวกโลหะ-แก้ว จะประกอบด้วยนิโครม เงินแพลเลเดียม แพลทินัม รูเทเนียม โรเดียม ทอง และ แทนทาลัม ผสมกับออกไซด์ของดีบุก . ฟิล์มแบบนี้จะหนากว่าวิธีระเหย หรือ วิธีกระจายถึง 100 เท่า ( ความหนามาก กว่า 0.0001 นิ้ว ) เหมาะ กับงานที่ต้องการกำลังงานสูง หรือ สามารถทนต่อการกระชากของกำลังงาน หรือ ใช้งานเกินขนาดได้ดี และ เหมาะสำหรับงาน ที่ต้องการความเที่ยงตรงพอสมควร แต่ไม่เหมาะสำหรับงาน ที่ต้องการความเที่ยงตรงสูงมากๆ ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะส่วนใหญ่แล้ว ทำโดยขบวนการซึ่งจดทะเบียนไว้โดยบริษัท Vishay โดยแผ่นโลหะบางๆ ถูกใช้ ทำเป็นฐาน แล้วจึงผ่านขบวนการทางเคมีในการตัด เพื่อที่จะผลิตทางเดินไฟฟ้า ซึ่งผลิตขึ้นมาเฉพาะงานที่มี ความเที่ยงตรงสูงเท่า นั้น โดยมีค่าความคลาดเคลื่อนใกล้เคียงกัน และ มีค่าสัมประสิทธิ์ต่ออุณหภูมิที่ดีเยี่ยม ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอนมีคุณสมบัติในการทำงานเช่นเดียวกับตัวต้านทานแบบผงคาร์บอน ข้อดีคือ มีราคาถูกกว่า แต่ ไม่สามารถทนต่อแรงดันกระชากในช่วงสั้นๆได้ และ ยังมีค่าสัมประสิทธิ์ต่ออุณหภูมิที่แย่ด้วย. ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอนที่ม ีขาต่อออกมาในแนวรัศมี นั้นทำโดยการฉาบหมึกคาร์บอนซื่งเป็นตัวต้านทาน ลงบนแท่งเซรามิกแล้วจึงนำไปเผา. ส่วนเทคนิคอื่นก็ โดยการฉาบคาร์บอนบริสุทธิ์โดยแยกก๊าซไฮโดรคาร์บอน หรือ โดยการฉาบแผ่นฟิล์มนิกเกิล สำหรับการทำตัวต้านทานที่มีค่าน้อย กว่า 10 โอห์ม นอกจากนี้ยังอาจใช้ วิธีการพ่นสารที่เป็นตัวต้านทาน หรือ การใช้ลูกกลิ้ง หรือ โดยการจุ่มลงไป แท่งตัวต้านทานจะถูก ตัด ให้ได้ขนาด แล้วติดปลายขาต่อใช้งานออกมา และ ตัวต้านทานนี้ จะถูกปรับให้มีค่าเที่ยงตรง เสร็จแล้วจึงฉาบด้วยสารที่เป็น ฉนวน ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอนสามารถหาซื้อได้โดยมีค่าความต้านทานเช่นเดียวกับแบบผง คาร์บอนและ มีค่าความคลาดเคลื่อนกับ ปกติเท่ากับ บวก ลบ 5 % |
สงวนลิขสิทธิ์ พ.ศ. 2542-2553 โดยบริษัท ซีเอ็ดยูเคชั่น จำกัด (มหาชน) Copyright © 1999-2010 by SE-EDUCATION Public Company Limited. All rights reserved. |