กลับหน้าบทความอิเล็กทรอนิกส์ | SE-ED.com | Electronics Society | ThailandIndustry.com | Webboards |
เรียนรู้ออปแอมป์อย่างละเอียด : กฤษดา วิศวธีรานนท์

ที่มา : วารสาร SEMICONDUCTER ฉบับที่ 78 เดือน พฤษภาคม พ.ศ. 2530

หน้าแรก
ความรู้พื้นฐานเกี่ยวกับออปแอมป์
อัตราการขยายแรงดัน
ความต้านทานทางอินพุต
ความต้านทานทางเอาต์พุต
แรงดันออฟเซททางอินพุต
กระแสไบแอสทางอินพุต
กระแสออฟเซททางอินพุต
ลักษณะสมบัติเชิงความถี่



ความต้านทานทางอินพุท

ถ้าค่าความต้านทางอินพุทของออปแอมป์มีค่าเป็น Zi อัตราการขยายของวงจรขยายแบบไม่กลับเฟสเท่ากับ G จะเขียนด้วยสูตรที่ละเอียดขึ้นเป็น

จากสูตรจะเห็นว่ามีเทอม เพิ่มขึ้นมา ถ้า Av มีค่ามากแล้ว จะมีค่ายิ่งมากขึ้น AvZi อีก จึงทำให้เทอมนี้มีขนาดเล็กมาก จนไม่มีผลกับค่า G เลย

คลิกเพื่อขยาย

รูปที่ 4 แสดงอัตราการขยายของออปแอมป์เมื่อต้านทานทางอินพุทไม่ถึงอนันต์

ยกตัวอย่างเช่น ให้ Av = 100 และ Zi = 100 kโอห์ม คำนวณตามในรูปที่ 4 จะพบว่าได้อัตราการขยาย 9.08 เมื่อเปรียบเทียบกับ 9.09 ซึ่งคำนวณไปแล้วโดยคิดว่า Zi มีค่าใหญ่มากจนเป็นอนันต์จะเห็นว่าผลต่างนั้นน้อยมาก

และถ้าลองเพิ่ม Av เป็น 10,000 จะได้อัตราขยายเป็น 9.9900 และ 9.9899 ซึ่งก็ต่างกันน้อยมาก จนโวลต์มิเตอร์ที่ใช้งานอยู่ทั่วไปก็ไม่สามารถวัดถึงความแตกต่างนี้ได้

ออปแอมป์ที่ใช้งานทั่วไปนั้นมี Av สูงมาก จนสามารถทิ้งค่า Zi ได้แต่อย่างไรก็ตาม Zi ก็ยังมีผลต่อวงจรบ้างโดยเฉพาะส่วนที่เกี่ยวพันกับกระแสไบแอสทางอินพุท ซึ่งจะได้อธิบายต่อไป ซึ่งถ้ากระแสไบแอสนี้ไหลเข้าไปในออปแอมป์จะทำให้ไม่สามารถใช้ตัวต้านทานค่าสูง ๆ ต่อเข้ากับวงจรออปแอมป์ได้

ลองดูในรูปที่ 4 แรงดันอินพุท 1.101 V และกระแสไหลเข้าออปแอมป์ 1 microA จะทำให้วงจรเหมือนกับมีค่าความต้านทานอินพุทรวมเป็น 1.1 Mโอห์ม ซึ่งเป็นค่าที่นับได้ว่าสูงทีเดียว


สงวนลิขสิทธิ์
พ.ศ. 2542-2553 โดยบริษัท ซีเอ็ดยูเคชั่น จำกัด (มหาชน)
Copyright © 1999-2010 by SE-EDUCATION Public Company Limited. All rights reserved.