ที่มา : วารสาร SEMICONDUCTER ฉบับที่ 134 เดือน ธันวาคม พ.ศ. 2536

หน้าแรก
ความผูกพันจากของเดิม
โครงสร้างและสัญลักษณ์
สภาวะนำกระแส
สภาวะหยุดนำกระแส
การแลตช์ใน IGBT
การป้องกันการแลตช์
วงจรสมมูล IGBT
ลักษณะการสวิตซ์
พื้นที่การทำงานที่ปลอดภัย

เทคโนโลยีไอจีบีที IGBT

ความล้ำหน้าทางเทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์คือจุดกำเนิดของ Insulate Gate Bipolar Transistor : IGBT

หากจะกล่าวถึงอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้ในงานในด้านเพาเวอร์กำลังหรือเพาเวอร์คอนโทรล ก็เห็นจะมีอยู่ไม่กี่ชนิด ซึ่งในแต่ละชนิดก็มีข้อจำกัดและความสามารถในการทำงาน ที่แตกต่างกันออกไปตามลักษณะของการนำไปใช้ควบคุมงาน ด้านต่างๆซึ่งอาจจะรวมไปถึงความไม่ล้าสมัยเร็วจนเกินไปของอุปกรณ์ที่ถูกเลือกมาใช้งานด้วย