กลับหน้าบทความอิเล็กทรอนิกส์ | SE-ED.com | Electronics Society | ThailandIndustry.com | Webboards |
เทคโนโลยี IGBT : ไชยันต์ สุวรรณชีวะศิริ

ที่มา : วารสาร SEMICONDUCTER ฉบับที่ 134 เดือน ¸Ñ¹ÇÒ¤Á ¾.È. 2536

หน้าแรก
ความผูกพันจากของเดิม
โครงสร้างและสัญลักษณ์
สภาวะนำกระแส
สภาวะหยุดนำกระแส
การแลตช์ใน IGBT
การป้องกันการแลตช์
วงจรสมมูล IGBT
ลักษณะการสวิตซ์
พื้นที่การทำงานที่ปลอดภัย



การแลตช์ใน IGBT

นอกจากโฮลส่วนใหญ่ที่รวมกับอิเล็กตรอนภายใต้บริเวณ n- แล้ว ยังมีกระแสโฮลบางส่วนที่ไหลข้ามบริเวณ n- เข้าสู่บริเวณชั้นบอดี้ p โดยตรงผลของกระแสโฮลนี้ทำให้เกิด แรงดันตกคร่อมความต้านทานข้างเคียง (Interal resistance) ดังในรูปที่ 4 ถ้าแรงดันนี้มีค่ามากพอคือประมาณ 0.7 โวลต์ จะทำให้รอยต่อ J3 ได้รับไบแอสตรงเป็นผลให้อิเล็กตรอน จากบริเวณซอร์ส n+ ถูกฉีดเข้าไปในชั้นบอดี้ p

รูปที่ 4 ทิศทางการไหลของอิเล็กตรอนและโฮลในขณะนำกระแส

ถ้าดูจากวงจรสมมูลในรูปที่ 6 (ค) จะหมายถึงขาเบสและอิมิตเตอร์ของทรานซิสเตอร์เอ็นพีเอ็น ได้รับแรงดันไบแอสตรงส่งผลให้ไทริสเตอร์ ซึ่งแฝงอยู่ในโครงสร้างของIGBT อยู่ในสภาวะแลตช์การนำกระแส ทำให้ที่ขาเกตไม่สามารถควบคุมปริมาณของกระแสเดรนนี้จะขึ้นอยู่กับตัวต้านทานที่นำมาต่อในวงจรภายนอก ถ้าหากมีการแลตช์เกิดขึ้นเป็นเวลานาน อาจทำให้ IGBT เสียหายได้ เพราะมีการสูญเสียกำลังงานเกินค่าพิกัดที่ทนได้

ส่วนใหญ่หรือเป็นมาตรฐานคู่มือของผู้ผลิต มักจะมีการบอกค่ากระแสเดรนสูงสุด ที่สามารถไหลผ่าน IGBT ได้โดยยังไม่เกิดการแลตช์ขึ้น (Idm) แต่เนื่องจากกระแสเดรน ถูกกำหนดหรือควบคุมโดยตรง จากแรงดันระหว่างขาเกตกับซอร์ส บางครั้งคู่มือจึงบอกค่าแรงดันระหว่างเกตและซอร์สสูงสุด ที่จะไม่ทำให้เกิดการแลตช์แทนการบอกค่ากระแสเดรน สูงสุด (Idm)

การแลตช์ที่กล่าวถึงข้างต้นเรียกว่าการแลตช์ใน โหมดสแตติก เพราะเกิดขึ้นเมื่อกระแสที่ไหลในสภาวะนำกระแส มีค่าเกิน Idm แต่ลักษณะการแลตช์นี้อาจเกิดขึ้นได้ เรียกว่าใน โหมดไดนามิก ซึ่งจะเกิดขึ้นเมื่อมีการเปลี่ยนการทำงาน จากสภาวะนำกระแสเข้าสู่สภาวะหยุดนำกระแสได้ด้วย บางครั้งการแลตช์นี้อาจเกิดขึ้นได้แม้ว่ากระแสเดรน ขณะนำกระแส ยังมีค่าต่ำกว่าค่า Idm ก็ตามทั้งนี้เพราะเมื่อ IGBT เริ่มหยุดนำกระแส กระแสเดรนจะตกลงอย่างรวดเร็วรอยต่อ J2 จะต้องรับแรงดันย้อนกลับที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วเช่นกัน

ผลที่เกิดขึ้นจะทำให้บริเวณปลอดพาหะขยายบริเวณชั้นบอดี้ P โดยเฉพาะจะขยายบริเวณ n- มากกว่า เพราะมีความหนาแน่นของการโด๊ปต่ำกว่า การขยายบริเวณปลอดพาหะอย่างรวดเร็ว จะทำให้โฮลที่ค้างอยู่ในบริเวณ n- ขณะนำกระแสและยังไม่ได้รวมกับอิเล็กตรอนหลุดรอดจากการขัดขวางของบริเวณรอยต่อพาหะ เข้าไปสะสมอยู่ในบริเวณรอยต่อ J2 เป็นการเพิ่มกระแสที่ไหลผ่านตัวต้านทานข้างเคียงให้สูงขึ้น ทำให้ไทริสเตอร์ภายใน IGBT เกิดการแลตช์ขึ้นได้ เมื่อเกิดการแลตช์ขึ้นแรงดันตกคร่อมขาซอร์สและเดรนขณะนำกระแส จะมีค่าต่ำกว่าระดับปกติ นอกจากนี้การแลตช์ยังสามารถเกิดขึ้นได้อีก ในขณะที่กระแสเดรนยังมีค่าต่ำกว่า Idm อยู่ได้เช่นกัน

 


สงวนลิขสิทธิ์
พ.ศ. 2542-2553 โดยบริษัท ซีเอ็ดยูเคชั่น จำกัด (มหาชน)
Copyright © 1999-2010 by SE-EDUCATION Public Company Limited. All rights reserved.