กลับหน้าบทความอิเล็กทรอนิกส์ | SE-ED.com | Electronics Society | ThailandIndustry.com | Webboards |
ฟาสต์-รีคัฟเวอรี่ไดโอด : ชูเกียรติ วัฒนากูล

ที่มา : วารสาร SEMICONDUCTER ฉบับที่ 102 เดือน ตุลาคม - พฤศจิกายน พ.ศ. 2533

หน้าแรก
แนะนำฟาสต์-รีคัฟเวอรี่ไดโอด
เอปปิตาเชียลเทคโนโลยี
ไดโอดกับแหล่งจ่ายแรงดัน แบบสวิตชิ่ง
แรงดันทางตรง
การลดกระแสรีเวิร์ส-รีคัฟเวอรี่
แรงดันกลับทาง
การเลือกไดโอดใช้งาน
บทส่งท้าย


เอปปิตาเชียลเทคโนโลยี

รูปที่ 1 แสดงเปรียบเทียบการโต๊ปสารกึ่งตัวนำระหว่าง

ก. ฟาสต์-รีคัฟเวอรี่ไดโอดชนิดเอปปิตาเชียล

ข. ไดโอดชนิดดับเบิล-ดิฟฟิวส์

ไดโอดชนิดนี้ใช้เทคโนโลยีแบบเอปปิตาเชียลในการสร้าง ซึ่งมีข้อดีกว่าวิธีการสร้างไดโอด ด้วยกรรมวิธีดับเบิล-ดิฟฟิวส์ (double-diffused) ใน รูปที่1 เป็นการเปรียบเทียบ วิธีการโด๊ปสารกึ่งตัวนำในการสร้างไดโอดทั้งสองแบบ ซึ่งมีความแตกต่างกันอย่างเห็นได้ชัด เทคโนโลยีแบบเอปปิตาเชียลจะควบคุมวัสดุที่ใช้อย่างละเอียด โดยเฉพาะตรงรอยต่อของสาร ความลึกและความหนาของสารชั้นรองจะถูกควบคุมเพื่อให้ได้ไดโอดที่มีประสิทธิภาพ และความเร็วสูงด้วย

รูปที่ 2 ขั้นตอนการสร้างฟาสต์-รีคัฟเวอรี่ไดโอดชนิดเอปปิตาเชียล

จากรูปที่ 2 เป็นขั้นตอนการผลิตฟาสต์-รีคัฟเวอรี่ไดโอดชนิดเอปปิเชียล ที่รอยต่อของไดโอดจะเติมแก้ว เพื่อปิดสารเอ็นที่ยืดขยายออก แก้วที่เติมลงไปนี้มีข้อดีคือ ประการแรก ขอบรอยต่อจะถูกป้องกัน ไม่ให้มีผลกระทบจากรอยต่อที่ติดกัน

ประการที่สอง สามารถที่จะนำอุปกรณ์นี้ไปทดสอบได้โดยไม่ต้องห่อหุ้มก่อน ประการสุดท้ายก็คือ จากการทดสอบเป็นเวลานานพบว่าอุปกรณ์ที่เติมแก้วลงไปให้ผลคงที่มาก

สำหรับไดโอดเบอร์ BYW29 ยังมีลักษณะเด่นอีกคือ โลหะที่ห่อหุ้มตัวถังซึ่งต่อกับสายตัวนำภายนอก จะไม่ห่อหุ้มสารซิลิกอนโดยตรง แต่าจะมีทองคำห่อหุ้มผสม กับซิลิกอนชั้นหนึ่งก่อน ข้อดีของวิธีนี้คือ ทำให้ความต้านทานระหว่างโลหะตัวนำกับซิลิกอนลดลง

ความต้านทานนี้จะเป็นตัวกำเนิดความร้อน (thermal resistance) เนื่องจากทองคำที่หุ้มซิลิกอนมีสภาพการนำความร้อน ดีกว่าการใช้ตัวนำดีบุกหลอมที่ใช้กับไดโอดทั่วไป เมื่อผลจากอุณหภูมิลดลงจะทำให้การทำงานของอุปกรณ์ที่เติมแก้วลงไปให้ผลคงที่มาก

คลิกเพื่อขยาย

รูปที่ 3 แสดงรูปตัวถังของไดโอด

ก. เบอร์ BYW29

ข. เบอร์ BYW30

ค. เบอร์ BYW31

ง. เบอร์ BYW92

สำหรับไดโอดเบอร์ BYW29 ยังมีลักษณะเด่นอีกคือ โลหะที่ห่อหุ้มตัวถังซึ่งต่อกับสายนำภายนอก จะไม่ห่อหุ้มสารซิลิกอนโดยตรง แต่จะมีทองคำห่อหุ้มผสมกับซิลิกอนชั้นหนึ่งก่อน ข้อดีของวิธีนี้คือ ทำให้ความต้านทานระหว่างโลหะตัวนำกับซิลิกอนลดลง

ความต้านทานนี้จะเป็นตัวกำเนิดความร้อน (thermal resistance) เนื่องจากทองคำที่หุ้มซิลิกอนมีสภาพการนำความร้อนดีกว่าการใช้ตัวนำดีบุกหลอมที่ใช้กับไดโอดทั่วไป เมื่อผลจากอุณหภูมิลดลงจะทำให้การทำงานของอุปกรณ์มีประสิทธิภาพและอายุการใช้งานสูงขึ้น

ตารางที่ 1 แสดงข้อมูลโดยย่อของฟาสต์-รีคัฟเวอรี่ไดโอดชนิดเอปปิตาเชียล สำหรับรูปที่ 3 แสดงลักษณะตัวถังของไดโอดแต่ละเบอร์ โดย BYW29 จะเป็นตัวถังชนิด DO-220 ซึ่งปรับปรุงมาจาก TO-220 ส่วน BYW30 และBYW31 อยู่ในตัวถัง DO-4 และ BYW92 อยู่ในตัวถังชนิด DO-5 สำหรับตัวถัง DO-4 จะมี 2 ขนาดคือ แบบหัวโต และแบบมาตรฐาน ถ้าต้องการแบบหัวโตจะมีอักษร U กำกับไว้ เช่น BYW31-100U (100 แสดงค่าทนแรงดันย้อนกลับ)

รูปที่ 4 แสดงคุณสมบัติทางตรงของไดโอดเบอร์ BYW31

รูปที่ 4 แสดงคุณสมบัติทางตรงของ BYW31-100U (100 แสดงค่าทนแรงดันย้อนกลับ)

รูปที่ 5 แสดงการเปรียบเทียบคุณสมบัติทางกลับของไดโอดแต่ละชนิด

รูปที่ 5 แสดงการเปรียบเทียบกระแสรั่วไหลย้อนกลับ (reverse-leakage characteristics) ของฟาสต์-รีคัฟเวอร์ไดโอดทั้ง 3 ชนิดคือ ชนิดเอปปิตาเชียล,ดับเบิลฟิวส์และชอตต์กีแบบเรียร์ จากกราฟจะพบว่าคุณสมบัติของเอปปิตาเชียลและดับเบิลดีฟฟิวส์ดีกว่าชนิดชอตต์กีแบเรียร์

รูปที่ 6 แสดงประจุสะสม Qs ของ BYW30 ที่กระแสทางตรงต่างกัน

รูปที่ 6 แสดงค่าประจุสะสม (Qs) ซึ่งเป็นฟังกชันของการเปลี่ยนแปลงกระแสทางตรงต่อเวลา (dlf / dt) โดยวัดที่ค่ากระแสทางตรงต่าง ๆ (Byw30)

รูปที่ 7 แสดงค่าเก็บประจุขณะแรงดันย้อนกลับของเบอร์ BYW30

สำหรับรูปที่ 7 เป็นกราฟแสดงค่าความจุบริเวณรอยต่อ (Cj : BYW.30) ซึ่งเป็นฟังก์ชันของแรงดันย้อนกลับ (Vr : reverse voltage)


สงวนลิขสิทธิ์
พ.ศ. 2542-2553 โดยบริษัท ซีเอ็ดยูเคชั่น จำกัด (มหาชน)
Copyright © 1999-2010 by SE-EDUCATION Public Company Limited. All rights reserved.