สารานุกรมไดโอดฉบับย่อย ตอนที่ 3
: บุญชัย งามวงศ์วัฒนา
|
|
หน้าแรก |
วงจรแรงดันอ้างอิง ถ้าซิลิกอนไดโอดได้รับการไบแอสกลับเพิ่มขึ้นเรื่อย ๆ จนถึงจุด ๆ หนึ่ง จะทำให้เกิดมีกระแสไหล ในซิลิกอนไดโอด เพิ่มมายังซีเนอร์ไดโอด ซึ่งแรงดันเอาต์พุตคร่อมซีเนอร์ไดโอดที่ได้จะมีค่าคงที่ ไม่ว่ากระแสที่ผ่านซีเนอร์ไดโอดจะเปลี่ยนแปลงไปอย่างไร (ทั้งนี้อาจเป็นผลมาจากแรงดันของแหล่งจ่ายไฟ จะเปลี่ยนแปลงไป หรือมีการเปลี่ยนแปลงค่าของตัวต้านทาน R1 ) สำหรับค่าตัวต้านทาน R1 สามารถหาได้จากสูตร R1= ( Vin - Vz ) / Iz โดยทั่ว ๆ ไปในการใช้งานค่าของ Iz จะมีค่าประมาณ 5 มิลลิแอมป์ รูปที่ 2 วงจรรักษาระดับแรงดันที่ใช้ซีเนอร์ไดโอด รูปที่ 2 เป็นการดัดแปลงวงจรรูปที่ 1 เพื่อใช้เป็นวงจรรักษาระดับแรงดันที่สามารถจ่ายกระแส ให้แก่โหลดได้ในระดับมิลลิแอมป์ สำหรับค่าความต้านทาน R1 หาได้โดยใช้สูตรที่ได้กล่าวมาแล้ว แต่กระแสจะต้องเป็นผลรวมของกระแสเอาต์พุตสูงสุดที่ต้องการและกระแส Iz (5 มิลลิแอมป์) เมื่อโหลดถึงกระแสสูงสุด กระแสที่ผ่านซีเนอร์ไดโอดจะเท่ากับ 5 มิลลิแอมป์และเมื่อไม่มีโหลดกระแสทั้งหมด จะผ่านซีเนอร์ไดโอด ซึ่งจะทำให้ซีเนอร์ไดโอดมีกำลังงานสูญเสียสูงที่สุด ดังนั้น ซีเนอร์ไดโอดที่ผลิตขึ้นมาจะมีหลายระดับแรงดันตั้งแต่ 2.7 โวลต์จนถึงประมาณ 100 โวลต์ และอัตราทนกำลัง 500 มิลลิวัตต์ , 1.3, 5 และ 20 วัตต์ ให้เลือกใช้งาน และปกติมีค่าความเคลื่อนของแรงดัน ฑ5 เปอร์เซ็นต์ จากค่าที่ระบุไว้ พารามิเตอร์อื่น ๆ ที่สำคัญต้องนำมาพิจารณา ในการเลือกใช้ซีเนอร์ไดโอดคือค่าสัมประสิทธิ์ทางอุณหภูมิของซีเนอร์ไดโอด (ผลของการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิต่อแรงดันเอาต์พุต) และไดนามิกอิมพีแดนซ์ของซีเนอร์ไดโอด (แสดงผลของการเปลี่ยนแปลงกระแสต่อแรงดันเอาต์พุต) รูปที่ 3 แสดงผลของพารามิเตอร์ต่าง ๆ สำหรับซีเนอร์ไดโอด ที่มีระดับแรงดันอยู่ระหว่าง 2.7 ถึง 16 โวลต์ อัตราทนกำลัง 500 มิลลิวัตต์ รูปที่ 3 วงจรแรงดันอ้างอิงที่ใช้ซีเนอร์ไดโอดขนาด 10 โวลต์ จากรูปที่ 3 เป็นวงจรแรงดันอ้างอิง 10 โวลต์ จากแรงดันอินพุตที่มีการเปลี่ยนแปลงในช่วง 15 ถึง 20 โวลต์ สำหรับตัวต้านทาน R1 มีค่า 1.5 กิโลโอห์ม ซึ่งเป็นค่าที่ทำให้มีกระแสผ่านซีเนอร์ไดโอด 2 มิลลิแอมป์ (คิดที่แรงดันอินพุตเฉลี่ย 17.5 โวลต์ ) โดยทั่วไปซีเนอร์ไดโอดมีค่าแรงดันผิดพลาด บวกลบ 5 เปอร์เซ็นต์ ดังนั้น แรงดันเอาต์พุตที่ได้จะมีค่าอยู่ระหว่าง 9.5 ถึง 10.5 โวลต์ เมื่อเรงดันจากแหล่งจ่ายไฟมีการเปลี่ยนแปลงจาก 15 ถึง 20 โวลต์ จะทำให้กระแสที่ผ่านซีเนอร์ไดโอดมีการเปลี่ยนแปลงไป 1.6 มิลลิแอมป์ และเมื่อพิจารณาถึงไดนามิกอิมพีแดนซ์ของซีเนอร์ไดโอดขนาด 10 โวลต์ ซึ่งมีค่าเท่ากับ 25 โอห์มด้วย จะทำให้แรงดันเอาพุตคร่อมซีเนอรืไดดอดมีการเปลี่ยนแปลง 40 มิลลิโวลต์ (ผลจากแหล่งจ่ายไฟ) และเมื่อพิจารณาผลจากอุณหภูมิ ซีเนอร์ไดโอดมีสัมประสิทธิ์ทางอุณหภูมิ +7 มิลลิโวลต์ต่อองศาเซลเซียส รูปที่ 4 วงจรแรงดันอ้างอิงขนาด 10 โวลต์ ที่มีการชดเชยผลจากอุณหภูมิ เมื่ออุณหภูมิเปลี่ยนแปลงไป บวกลบ20 องศาเซลเซียสจากอุณหภูมิห้องที่ 20 องศาเซลเซียส จะทำให้แรงดันเอาต์พุตเปลี่ยนแปลงไป บวกลบ140 มิลลิโวลต์ รูปที่ 4 ถึง 6 แสดงวงจรแรงดันอ้างอิงแบบต่าง ๆ ที่มีการออกแบบโดยการนำพารามิเตอร์ต่าง ๆ ที่ได้กล่าวมาแล้วมาพิจารณาด้วย รูปที่ 4 เป็นการปรับปรุงวงจรจาก รูปที่ 3 เพื่อลดผลจากอุณหภูมิ โดยใช้ซีเนอณ์ไดโอดขนาด 10.1 โวลต์ (เมื่อคิดค่าความคลาดเคลื่อน 5 เปอร์เซ็นต์ จะให้แรงดันเอาต์พุตอยู่ระหว่าง 2.4 ถึง 10.6 โวลต์) ซึ่งจะทำให้สัมประสิทธิ์ทางอุณหภูมิรวมเท่ากับ 0.6 มิลลิโวลต์ต่อองศาเซลเซียส ดังนั้นเมื่ออุณหภูมิเปลี่ยนแปลงลงไป 20 องศาเซลเซียส จะทำให้แรงดันเอาต์พุตเปลี่ยนแปลงไปเพียง 12 มิลลิโวลต์เท่านั้น แต่สำหรับไดนามิกอิมพีแดนซ์รวมของซีเนอร์ไดโอดทั้งสองตัวนี้จะมีค่าสูงถึง 127 โอห์ม ซึ่งทำให้ผลจากแหล่งจ่ายไฟมีค่ามากถึง 203 มิลลิโวลต์ด้วย รูปที่ 5 วงจรแรงดันอ้างอิงขนาด 10 โวลต์ ที่มีการลดผลจากอุณหภูมิและผลจากแหล่งจ่ายไฟ ผลจากแหล่งจ่ายไฟของวงจรรูปที่ 4 ซึ่งยังมีค่ามากอยู่นั้นสามารถปรับปรุงแก้ไขได้โดย การเพิ่มส่วนรักษาระดับแรงดันอีกส่วนหนี่ง (ซีเนอร์ไดโอด ZD1 ในรูปที่ 5 เมื่อแรงดันจากแหล่งจ่ายไฟมีการเปลี่ยนแปลงไป จะทำให้แรงดันที่จุดต่อระหว่าง R1 และ R2 มีการเปลี่ยนแปลงไป 265 มิลลิโวลต์จาก 13 โวลต์ และจะทำให้แรงดันเอาต์พุตมีการเปลี่ยนแปลงเพียง 53 มิลลิโวลต์เท่านั้น ส่วนผลจากอุณหภูมิมีค่าเท่าเดิมคือ 12 มิลลิโวลต์ สำหรับตัวต้านทาน R2 จะต้องมีค่า ที่ทำให้มีกระแสไหลผ่านซีเนอร์ไดโอดขนาด 10 โวลต์ (6.2 โวลต์และ 3.9 โวลต์ อนุกรมกัน ) เท่ากับ 5 มิลลิแอมป์ด้วย รูปที่ 6 การใช้ซีเนอร์ไดโอดร่วมกับซิลิกอนเพื่อสร้างวงจรแรงดันอ้างอิงหลายระดับ รูปที่ 6 แสดงการนำซีเนอร์ไดโอดและซิลิกอนไดโอดมาต่ออนุกรมกัน เพื่อใช้สร้างแรงดันอ้างอิงหลาย ระดับ โดยซิลิกอนไดโอดแต่ละตัวจะมีแรงดันตกคร่อมประมาณ 600 มิลลิโวลต์ ขณะที่ได้รับการไบแอสตรงด้วยกระแส 5 มิลลิแอมป์ และมีสัมประสิทธิ์ทางอุณหภูมิ -2 มิลลิโวลต์ ต่อองศาเซลเซียส สำหรับแหล่งจ่ายไฟที่จะป้อนเข้าอินพุตต้องมีแรงดัน มากกว่าแรงดันเอาต์พุตสูงสุด (14.5 โวลต์) ด้วย |
สงวนลิขสิทธิ์ พ.ศ. 2542-2553 โดยบริษัท ซีเอ็ดยูเคชั่น จำกัด (มหาชน) Copyright © 1999-2010 by SE-EDUCATION Public Company Limited. All rights reserved. |