วงจรรักษาระดับแรงดันที่ใช้ทรานซิสเตอร์

รูปที่ 7 วงจรรักษาระดับแรงดันที่ใช้ทรานซิสเตอร์ช่วยขับกระแส
ซึ่งจะให้แรงดันเอาต์พุต11.4 โวตล์ จากซีเนอร์ไดโอดแรงดัน 12 โวลต์
 วงจรรักษาระดับแรงดันในรูปที่
2 ที่ได้กล่าวไปแล้วนั้น สามารถจ่ายกระแสให้แก่โหลดได้ไม่สูงนักเพียง 20-30
มิลลิแอมป์เท่านั้น ในกรณีที่ต้องการกระแสเอาต์พุตมากกว่านี้สามารถทำได้โดยใช้ทรานซิสเตอร์ช่วยขับกระแส
โดยต่อเป็นวงจรอิมิตเตอร์ฟอลโลเวอร์ (emitter follower) อนุกรมระหว่างเอาต์พุตของซีเนอร์ไดโอด
และโหลดดังแสดงใน รูปที่ 7 วงจรนี้สามารถจ่ายกระแสให้แก่โหลดได้เพิ่มขึ้นประมาณ
100 เท่า ตามอัตราขยายกระแสของทรานซิสเตอร์ซึ่งขึ้นกับความสามารถในการจ่ายกระแสของทรานซิสเตอร์ด้วยและ
จะให้แรงดันเอาต์พุตต่ำกว่าแรงดัน ของซีเนอร์ไดโอดประมาณ 600 มิลลิโวลต์
(เป็นแรงดันที่ตกคร่อมเบส - อิมิตเตอร์ของทรานซิสเตอร์ Q1)ซึ่งสามารถแก้ไขได้โดยใช้ซิลิกอนไดโอดต่ออนุกรมกับซีเนอร์ไดโอด
ดังแสดงในรูปที่ 8 หรือต่อทรานซิสเตอร์ Q1 ในลักษณะลูปป้อนกลับ โดยใช้ร่วมกับออปแอมป์ดังแสดงในรูปที่
9

รูปที่ 8 วงจรดัดแปลงจากรูปที่
7 เพื่อให้สามารถจ่ายแรงดันเอาต์พุตได้ 12 โวลต์
สำหรับกระแสเอาต์พุตของทั้งสามวงจรมีค่าประมาณ
100 มิลลิแอมป์ (ขึ้นกับอัตราขยายของทรานซิสเตอร์ Q1 และถ้าต้องการกระแสเอาต์พุต
มากกว่านี้ก็ทำได้โดยการนำทรานซิสเตอร์มาต่อกันแบบดาร์ลิงดัน เพื่อเพิ่มอัตราขยายกระแสอ้างอิงได้โดยวงจรในรูปที่
10 จะใช้ทรานซิสเตอร์ Q1 ต่อเป็นวงจรขยายแบบอิมิตเตอร์ร่วม (common emitter)
ซึ่งจะทำให้ได้แรงดันเอาต์พุตที่มีค่าเป็นจำนวนเท่าของแรงดันขาเบส และกราวด์ของทรานซิสเตอร์
Q1 ซึ่งแรงดันระหว่างขาเบสและกราวด์ของ Q1 นี้จะเท่ากับผลรวมของแรงดันระหว่างขาเบสและอิมิตเตอร์ของ
Q1 (600 มิลลิโวลต์) และแรงดันของซีเนอร์ไดโอด ZD1 (6.2 โวลต์) ซึ่งจะได้เท่ากับ
6.8 โวลต์ วงจรนี้สามารถปรับค่าแรงดันเอาต์พุตได้ตั้งแต่ 6.8 ถึง 13.6 โดยการปรับตัวต้านทาน
VR1และยังมีสัมประสิทธิ์ทางอุณหภูมิ ที่มีค่าเกือบเป็นศูนย์ด้วยเนื่องจากรอยต่อเบส
- อิมิตเตอร์ของ Q1 มีสัมประสิทธิ์ทางอุณหภูมิ -2 มิลลิโวลต์ต่อองศาเซลเซียส
และ ZD1 มีสัมประสิทธิ์ทางอุณหภูมิ + 2 มิลลิโวลต์ต่อองศาเซลเซียส

รูปที่ 9 วงจรดัดแปลงจากรูปที่
7 อีกแบบหนึ่ง ให้แรงดันเอาต์พุตเท่ากับ 12 โวลต์

รูปที่ 10 วงจรแรงดันอ้างอิงที่ปรับค่าได้
|