กลับหน้าบทความอิเล็กทรอนิกส์ | SE-ED.com | Electronics Society | ThailandIndustry.com | Webboards |
สารานุกรมไดโอดฉบับย่อย ตอนที่ 1 : บุญชัย งามวงศ์วัฒนา

ที่มา : วารสาร SEMICONDUCTER ฉบับที่ 137 เดือน มีนาคม พ.ศ. 2537

หน้าแรก
ทบทวนกับไดโอดพื้นฐาน กันก่อน
ไดโอดชนิดซิลิกอนกับ อีกหลายบทบาทที่พิเศษกว่าเดิม
วงจรเร็กติไฟเออร์แบบครึ่งคลื่น
วงจรเร็กติไฟเออร์แบบเต็มคลื่น
การเลือกใช้งานหม้อแปลง
การเลือกตัวเก็บประจุ กรองกระแส
สรุปค่าต่าง ๆ ที่ควรคำนึง ของวงจร เร็กติไฟเออร์



ไดโอดชนิดซิลิกอนกับอีกหลายบทบาทที่พิเศษกว่าเดิม

จากเดิมที่ว่าไดโอดชนิดซิลิกอนมีคุณสมบัติที่ดีกว่า จึงทำให้มันสามารถนำมาประยุกต์เป็นไดโอดที่แตกต่างจากไดโอด พื้นฐานธรรมดา เช่น

  • ถ้าหากไดโอดชนิดซิลิกอนถูกเพิ่มแรงดันไบแอสกลับให้มากขึ้นจนถึงจุด ๆ หนึ่ง ทำให้กระแสไหลย้อนกลับ เพิ่มขึ้นอย่าง รวดเร็ว ดังแสดงในรูปที่ 4 แรงดันไบแอสกลับที่ทำให้เกิดปรากฏการณ ์เช่นนี้เรียกว่า แรงดันซีเนอร์ หรือแรงดัน อะวาลานซ์ ของไดโอด ปรากฏการณ์นี้จึงถูกนำมาสร้างไดโอดใหม่ขึ้น เพราะสามารถนำมา สร้างแรงดันอ้างอิงได้ ไดโอดชนิดนี้ก็คือ ซีเนอร์ไดโอดนั่นเอง

รูปที่ 4 สัญลักษณ์และกราฟแสดงคุณลักษณะของซีเนอร์ไดโอด

ซีเนอร์ไดโอดยังสามารถนำมาใช้เป็นแหล่งกำเนิดสัญญาณรบกวนขาว (white-noise) ได้เป็นอย่างดี จากคุณสมบัติ ของ อิมพีแดนซ์ที่มี การเปลี่ยนแปลงขึ้น ๆ ลง ๆอย่างรวดเร็ว

  • ถ้าไดโอดชนิดซิลิกอนได้รับการไบแอสตรงจากแหล่งจ่ายกระแสคงที่ แรงดัน Vfที่ตกคร่อมจะมีการเปลี่ยนแปลงไป ตาม อุณหภูมิที่รอยต่อ P-N ในอัตรา -2 มิลลิโวลท์ต่อองศาเซลเซียส ดังแสดงในรูปที่ 5 เช่นถ้า Vf เท่ากับ 600 มิลลิโวลท์ที่ 20 องศาเซลเซียส Vf จะลดลงเหลือ 440 มิลลิโวลท์ที่ 100 องศาเซลเซียส และเพิ่มขึ้นเป็น 740 มิลลิโวลท์ที่ -50 องศาเซลเซียส ไดโอดชนิดซิลิกอนจึงสามารถนำมาใช้ในการเปลี่ยนผลของอุณหภูมิเป็นแรงดันได้ ด้วย (temperature to voltage converter)

รูปที่ 5 กราฟแสดงผลของอุณหภุมิต่อไดโอดชนิดซิลิกอนที่กระแส If เท่ากับ 1 มิลลิแอมป์

  • ถ้าไดโอดชนิดซิลิกอนได้รับการไบแอสกลับจากแหล่งจ่ายที่มีอิมพีแดนซ์สูง ๆ ดังแสดงในรูปที่ 6 เสมือนว่ามีแรงดัน ไบแอส กลับเพิ่มมากขึ้น ซึ่งจะทำให้ค่าความจุไฟฟ้าที่รอยต่อ P-N มีค่าลดลง (เช่น เมื่อแรงดันไบแอสกลับเท่านั้น -1 โวลท์ รอย ต่อ P-N จะมีความจุไฟฟ้าเพียง 10 พิโกฟารัด และเมื่อเพิ่มแรงดันไบแอสกลับเป็น -8 โวลท์ จะมีความจุ ไฟฟ้าเพียง 10 พิโกฟารัด) จากคุณลักษณะของการเปลี่ยนแปลงระหว่างแรงดัน และค่าความจุไฟฟ้านี้ จึงมีการผลิต ไดโอด ชนิดซิลิกอน เพื่อให้เกิดผลเช่นนี้โดยเฉพาะขึ้น ซึ่งเรียกว่า วาริแคป หรือ วาแร็กเตอร์ไดโอด

รูปที่ 6 สัญลักษณ์และกราฟแสดงคุณลักษณะของวาริแคปไดโอด

  • รอยต่อ P-N ขณะได้รับการไบแอสกลับ จะเกิดกระแสรั่วไหลย้อนกลับไหลผ่านไดโอด ซึ่งกระแสรั่วไหลย้อนกลับ และ อิมพี แดนซ์ ของรอยต่อ P-N นี้มีความไวต่อแสงมาก คือเมื่ออยู่ในที่มืดอิมพีแดนซ์จะมีค่ามาก และเมื่ออยู่ในที่สว่าง อิมพีแดนซ์ จะมีค่าน้อย แต่ปกติถ้าไม่ต้องการให้เกิดปรากฏการณ์เช่นนี้ขึ้นไดโอดทั่ว ๆ ไปจึงมีการห่อหุ้มรอยต่อ P-N ด้วยวัสดุทึบ แสง ยกเว้นแต่กรณีที่เราต้องการใช้ประโยชน์จากปรากฏการณ์นี้ จะมีการผลิตไดโอดชนิดพิเศษเรียกว่า โฟโต้ไดโอด ซึ่ง สัญลักษณ์แสดงในรูปที่ 7 (ก) และยังแบ่งเป็นโฟโต้ไดโอดชนิดตอบสนองต่อแสงที่ตามองเห็น และชนิดที่ตอบสนองต่อ แสงอินฟาเรด (IR) ด้วย

รูปที่ 7 สัญลักษณ์ของ (ก) โฟโต้ไดโอด (ข) LED

  • ไดโอดที่เกี่ยวข้องกับแสงอีกชนิดหนึ่งคือ ไดโอดเปล่งแสง หรือ LED ซึ่งผลิตจากสารแกลเลียมฟอสไฟต์ หรือแกลเลียม อาเซไนด์ ซึ่งสามารถเปล่งแสงออกมาได้ไม่ว่าจะเป็นสีแดง, เขียว, เหลือง หรือแสงอินฟาเรด เมื่อได้รับการไบแอสตรง อย่างเหมาะสม สัญลักษณ์ของไดโอดชนิดนี้แสดงในรูปที่ 7 (ข)
  • ไดโอดที่สำคัญอีกชนิดหนึ่งคือ ชอตต์กี้ไดโอด ซึ่งมีสัญลักษณ์เช่นเดียวกับไดโอดทั่ว ๆ ไป แต่ไดโอดชนิดนี้มี การสวิตซ์ ที่รวดเร็วมาก (ไดโอดทั่ว ๆ ไปเมื่อนำมาใช้งานเป็นสวิตซ์ที่ความถี่สูง ๆ จะทำให้สัญญาณเกิด การผิดเพี้ยนขึ้น) เมื่อใช้ งานที่ความถี่สูง ๆ จึงไม่ทำให้เกิดการผิดเพี้ยนของสัญญาณ และยังมีค่าแรงดัน Knee เพียงครึ่งหนึ่งของไดโอดชนิด ซิลิกอนทั่ว ๆ ไป จึงสามารถนำมาใช้แทนไดโอด ชนิดเยอรมันเนียม ในการดีเทกสัญญาณได้ และยังใช้งานได้ที่ความถี่ ระดับ 10 หรือ 100 กิกะเฮริตซ์ด้วย

 


สงวนลิขสิทธิ์
พ.ศ. 2542-2553 โดยบริษัท ซีเอ็ดยูเคชั่น จำกัด (มหาชน)
Copyright © 1999-2010 by SE-EDUCATION Public Company Limited. All rights reserved.