|
โฟโต้ไดโอด
  ดังที่ได้กล่าวมาแล้วว่า
เมื่อใดที่รอยต่อพี-เอ็น ชนิดซิลิกอนได้รับการไบแอสกลับ จะเกิดกระแสรั่วไหลย้อนกลับผ่านไดโอด
ซึ่งกระแสรั่วไหลย้อนกลับและอิมพีแดนซ์ของรอยต่อพี-เอ็นนี้ มีความไวต่อแสงมาก
คือจะมีอิมพีแดนซ์สูงเมื่ออยู่ในที่มืด และมีอิมพีแดนซ์ต่ำเมื่ออยู่ในที่สว่าง
รูปที่ 15 ลักษณะการต่อใช้งานโฟโต้ไดโอด
ไดโอดโดยทั่วไปนั้น
จะมีถูกหุ้มรอยต่อนี้ไว้ด้วยวัสดุทึบแสง เพื่อป้องกันไม่ให้เกิดปรากฏการณ์นี้ขึ้น
แต่สำหรับโฟโต้ไดโอดเป็นไดโอด ซึ่งถูกผลิตขึ้นมาเพื่อให้เกิดปรากฏการณ์นี้
โดยเฉพาะ รอยต่อจึงถูกห่อหุ้มด้วยวัสดุที่แสงสามารถผ่านได้ ไดโอดชนิดนี้มี
2 แบบ คือ ชนิดที่ตอบสนองต่อช่วงแสงทีสายตามองเห็น และชนิดที่ตอบสนองต่อแสงย่านอินฟาเรด
(IR) ในการานำไปใช้งาน โฟโต้ไดโอดจะต้องถูกต่อในลักษณะได้รับการไบแอสกลับ
สำหรับแรงดันเอาต์พุตเป็นแรงดันที่ตกคร่อมตัวต้านทานโหลด ที่ต่ออนุกรมกับโฟโต้ไดโอด
ระหว่างโฟโต้ไดโอดและกราวนด์ดังรูป 15 (ก) หรือยู่ระหว่างโฟโต้ไดโอด และแหล่งจ่ายไฟบวก
ดังรูป 15 (ข) ก็ได้
เมื่อเปรียบเทียบกับแคดเมียม
- ซัลไฟด์ LDR แล้ว โฟโต้ไดโอดจะมีความไวต่อแสงที่ต่ำ แต่สามารถตอบสนองต่อการเปลี่ยนแปลง
ของระดับแสงได้เร็ว ดังนั้นโดยทั่ว ๆ ไป LDR จึงถูกนำมาประยุกต์ใช้ ในงานตรวจจับระดับแสงที่ค่อนข้างจะเปลี่ยนแปลงช้า
ส่วนโฟโต้ไดโอจะถูกนำมาประยุกต์ใช้ ในงานที่เกี่ยวกับสัญญาณไฟสลับ ที่มีการเปลี่ยนแปลงเร็ว
สำหรับการประยุกต์ใช้โฟโต้ไดโอด ชนิดทีตอบสนองต่อแสงอินฟราเรดก็เช่นการใช้ในวงจรรีโมตคอนโทรล,
วงจรสัญญาณเตือนต่าง ๆ ที่ใช้แสงอินฟราเรดในการควบคุม เป็นต้น
|
