|
โฟโต้ทรานซิสเตอร์
รูปที่ 16 สัญญลักษณ์ของโฟโต้ทรานซิสเตอร์
  ดังที่ทราบกันอยู่แล้วว่าซิลิกอนทรานซิสเตอร์นั้นถูกสร้างจากรอยต่อพี-เอ็น
จึงไม่แปลกเลยที่ทรานซิสเตอร์ จะมีความไวต่อแสงด้วย ซึ่งอยู่ในรูปแบบของโฟโต้ทรานซิสเตอร์นั่นเอง
สัญลักษณ์ของโฟโต้ทรานซิสเตอร์แสดงใน รูปที่ 16
รูปที่ 17 การใช้งานโฟโต้ทรานซิสเตอร์ในลักษณะต่าง
ๆ
การใช้งานโฟโต้ทรานซิสเตอร์พื้นฐานมีอยู่
3 แบบด้วยกัน ดังแสดงในรูปที่ 18 จากรูปจะเห็นว่า ในแต่ละกรณีรอยต่อเบส-คอลเล็กเตอร์ของทรานซิสเตอร์
จะต่อในลักษณะได้รับไบแอสกลับ เช่นเดียวกับโฟโต้ไดโอด ในรูปที่ 17 (ก) ขาเบสของทรานซิสเตอร์ถูกต่อลงกราวด์
ดังนั้น ทรานซิสเตอร์จะทำงานเหมือนกับโฟโต้ไดโอดทุกประการ ส่วนรูปที่ 17
(ข) และ 17 (ค) ขาเบสของทรานซิสเตอร์ถูกปล่อยลอยไว้ และเมื่อใดที่ทรานซิสเตอร์ได้รับแสง
ก็จะมีกระแสไหลผ่านรอยต่อเบส - คอลเล็กเตอร์ ไปยังขาเบสของทรานซิสเตอร์ ซึ่งจะทำให้กระแสที่ผ่านจากคอลเล้กเตอร์มายังอิมิตเตอร์
ของทรานซิสเตอร์มีปริมาณเพิ่มขึ้นอย่างมาก กระแสนี้จะทำให้ได้แรงดันเอาต์พุตที่ตกคร่อมตัวต้านทาน
R1 ที่ต่ออนุกรมอยู่มีค่าเพิ่มขึ้น
รูปที่ 18 วงจรโฟโต้ทรานซิสเตอร์ที่สามารถปรับความไวในการตอบสนองต่อแสงได
เมื่อเปรียบเทียบกับโฟโต้ไดโอดโฟโต้ทรานซิสเตอร์จะมีความไวต่อแสงมากกว่าประมาณ
100 เท่า แต่ในด้านความถี่ใช้งานสูงสุด สำหรับโฟโต้ทรานซิสเตอร์ (ประมาณ
200-300 กิโลเฮิรตช์) จะใช้งานได้ที่ความถี่ต่ำกว่าโฟโต้ไดโอด หลายสิบเมกะเฮิรตซ์
ในการใช้งาน อาจจะต่อตัวต้านทานปรับค่าได้ระหว่างขาเบสและอิมิตเตอร์ของโฟโต้ทรานซิสเตอร์ด้วยก็ได้
ดังรูปที่ 18 เพื่อให้สามารถเลือกได้ว่าต้องการใช้กับงานที่มีความไวต่อแสงมาก
ๆ หรือต้องการใช้กับงานที่มีความถี่สูง ๆ โดยเมื่อ VR1 เปิดวงจรก็จะทำหน้าที่เป็นโฟโต้ทรานซิสเตอร์
และเมื่อ VR1 ลัดวงจร ก็จะทำหน้าที่เป็นโฟโต้ไดโอด
ในการใช้งานวงจรที่เกี่ยวข้องกับแสงในรูปที่
15 ถึง 18 นั้นจะต้องเลือกใช้ตัวต้านทานโหลด R1 ที่มีค่ามากหรือน้อยจนเกินไปด้วย
เพราะถ้าใช้ตัวต้านทาน R1 ที่มีค่ามาก ๆ ถึงแม้จะทำให้อัตราขยายแรงดัน ของวงจรเพิ่มขึ้น
แต่ก็จะทำให้ช่วงความถี่ของการใช้งานลดลงด้วยและค่าของ R1 จะต้องเป็นค่าที่ทำให้โฟโต้ไดโอด
หรือโฟโต้ทรานซิสเตอร์ ทำงานในช่วงที่เป็นเชิงเส้นด้วย
|
